站長之家(ChinaZ.com) 7月13日消息:三星電子和 SK 海力士等內存制造商正在研究降低內存功耗的技術，隨著 HBM 和 DDR5 等內存在高性能計算中的重要性日益增加，內存的功耗問題變得越來越突出。

據 Chosun Biz 報道，構建人工智能模型時，數據中心中的內存功耗問題變得越來越明顯。例如，DRAM 占據基于英偉達 A100 的數據中心平臺總功耗的 40%。因此，內存供應商與學術界展開合作，投資于下一代技術以降低功耗。值得注意的是，隨著層數的增加，HBM 的功耗也會增加。

基于 Compute Express Link 技術，三星開發了采用 12 納米工藝的 16GB DDR5 DRAM，與上一代產品相比，功耗降低了 23%。三星正在與首爾國立大學合作進一步降低內存功耗。

SK 海力士推出了 LPDDR5X，將 High-K 金屬柵（HKMG）工藝應用于移動 DRAM。高 k 材料的介電常數比傳統 SiON 絕緣膜高約五倍，可以在相同面積和厚度下存儲五倍的電荷，并幫助減少電流泄漏。通過控制泄漏電流，SK 海力士的 LPDDR5X 速度提高了 33%，功耗比上一代產品降低了 20% 以上。

此外，韓國的研究機構正在積極研究相較于性能改善功耗密度的新技術。首爾國立大學推出了 DRAM Translation Layer 技術，預計可以將 DRAM 的功耗降低 31.6%。