微新創想(idea2003.com) 8月9日消息:SK 海力士今天發布了行業中層數最高的 NAND 技術，采用 321 層設計，可達到 1 Tb TLC 封裝。

圖片來自 skhynix

該公司在 8 月 8 日至 10 日于圣克拉拉舉辦的 Flash Memory Summit (FMS) 2023 上介紹了其 321 層 1Tb TLC 4D NAND Flash 的開發進展。

SK 海力士是首家詳細公布超過 300 層 NAND 開發進展的公司。該公司計劃提高 321 層產品的完成度，并于 2025 年上半年開始大規模生產。

該公司表示，已經量產世界上最高 238 層 NAND 并取得成功后積累起來的技術競爭力為 321 層產品的開發順利進行鋪平道路?！竿ㄟ^突破堆疊限制，SK 海力士將引領擁有超過 300 個堆疊層數的 NAND 時代并主導市場?！?/p>

與之前一代 238 層 512Gb 相比，321 層 1Tb TLC NAND 在生產效率方面提高了 59%，這要歸功于能夠在單個芯片上堆疊更多單元和更大存儲容量的技術發展，意味著可以在單個晶圓上生產出更多容量。

自 ChatGPT 推出以來，促進了生成式人工智能市場的增長，對于能夠以更快速度處理更多數據的高性能、高容量存儲產品的需求正在迅速增長。

因此，在 FMS 上，SK 海力士還介紹了針對這種人工智能需求優化的下一代 NAND 解決方案，包括采用 PCIe Gen5 接口和 UFS 4.0 的企業級 SSD。該公司預計這些產品將實現行業領先的性能，充分滿足高性能需求的客戶。

SK 海力士還宣布已經開始開發下一代 PCIe Gen6 和 UFS 5.0，并表示致力于引領行業趨勢。